現(xiàn)在很多大學實驗室、研究院都在采用氣相沉積爐，與其他沉積方法相比，氣相沉積爐除了具有設(shè)備操作簡單、維護方便、靈活性強外，還具有以下一系列的優(yōu)點：
(1)在中溫和高溫下,氣相沉積爐通過氣態(tài)的初始化合物之間的氣相化學反應(yīng)而沉積固體;
(2)氣相沉積爐可以在大氣壓(常壓)或者低于大氣壓下進行沉積,一般說低壓效果更好些;
(3)氣相沉積爐采用等離子和激光輔助技術(shù)可以顯著促進化學反應(yīng),使沉積可在較低的溫度下進行;
(4)鍍層的化學成分可以改變,從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層;
(5)可以控制鍍層的密度和純度;
(6)繞鍍性好,可在復(fù)雜形狀的基體上以及顆粒材料上沉積;
(7)氣體條件通常是層流的，可在基體表面形成厚的邊界層;
(8)沉積層通常具有柱狀晶結(jié)構(gòu),不耐彎曲,但通過各種技術(shù)對化學反應(yīng)進行氣相擾動，可以得到細晶粒的等軸沉積層;
(9)氣相沉積爐可以形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物鍍層。只要原料氣稍加改變采用不同的工藝參數(shù)便可制備性能各異的沉積層;可涂覆各種復(fù)雜形狀工件,如帶槽、溝、孔或盲孔的工件;涂層與基體間結(jié)合力強等。
